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第九十四章芯片工艺

对于信越、lg化学的垂死挣扎，黄豪杰没有在意。

因为对于银河科技而言，硅片的面积已经失去了意义。

如果需要，中子星公司随时生产大面积的方晶片，所以就算是信越、lg化学他们研发出来18英寸圆晶片，也于事无补。

中子星材料公司的方晶片全面领先圆晶片，是势不可挡的大势，他们的垂死挣扎不过是螳臂当车罢了。

现在黄豪杰正在银河科技的半导体研究所《看到此内容，说明本书不支持电脑观看，你用手机打开继续阅读》,的离子束由硅片表面注入。

离子注入完毕后的硅片还需要经过热处理，一方面利用热扩散原理进一步将杂质“压入”硅中，另一方面恢复晶格完整性，活化杂质电气特性。

离子注入法具有加工温度低，可均匀、大面积注入杂质，易于控制等优点，因此成为超大规模集成电路中不可缺少的工艺。

再次清除光刻胶。完成离子注入后，可以清除掉选择性掺杂残留下来的光刻胶掩模。

此时，单晶硅内部一小部分硅原子已经被替换成“杂质”元素，从而产生可自由电子或空穴。

绝缘层处理，此时晶体管雏形已经基本完成，利用气相沉积法，在硅晶圆表面全面地沉积一层氧化硅膜，形成绝缘层。

同样利用光刻掩模技术在层间绝缘膜上开孔，以便引出导体电极。

沉淀铜层，利用溅射沉积法，在硅片整个表面上沉积布线用的铜层，继续使用光刻掩模技术对铜层进行雕刻，形成场效应管的源极、漏极、栅极。

最后在整个硅片表面沉积一层绝缘层以保护晶体管。

构建晶体管之间连接电路。

经过漫长的工艺，数以十亿计的晶体管已经制作完成。

剩下的就是如何将这些晶体管连接起来的问题了。

同样是先形成一层铜层，然后光刻掩模、蚀刻开孔等精细操作，再沉积下一层铜层。

这样的工序反复进行多次，这要视乎芯片的晶体管规模、复制程度而定。

最终形成极其复杂的多层连接电路网络。

由于现在ic包含各种精细化的元件以及庞大的互联电路，结构非常复杂，实际电路层数已经高达30层，表面各种凹凸不平越来越多，高低差异很大，因此开发出cmp化学机械抛光技术。

每完成一层电路就进行cmp磨平。

另外为了顺利完成多层cu立体化布线，开发出大马士革法新的布线方式，镀上阻挡金属层后，整体溅镀cu膜，再利用cmp将布线之外的cu和阻挡金属层去除干净，形成所需布线。

芯片电路到此已经基本完成，其中经历几百道不同工艺加工，而且全部都是基于精细化操作，任何一个地方出错都会导致整片硅片报废，在100多平方毫米的硅片上制造出数十亿个晶体管，是人类有文

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第九十四章 芯片工艺