第四百七十四章存储芯片

这时，一直没说话的夏培肃开口道：“庞总，你的意思是，星环科技未来的发展方向是开发一种全新的互联网终端，并且依靠这种终端，支撑起一个全新的系统和指令集架构体系，并且形成生态闭环？”

庞学林笑着点了点头，说道：“没错，就是这个意思。”

夏培肃皱眉道：“如果这样的话，那段时间内，海思半导体只有投入，没有产出，你能撑多久？”

庞学林微微一笑，说道：“这个不难，华威接下来准备进军移动通信运营商业务，有很多芯片都需要从国外采购，海思半导体可以承接部分芯片比如dsp芯片，asic芯片，fpga芯片等等的研发工作。另外，在消费者业务领域，我们还准备做快闪储存器以及第二代同步动态随机存取内存。”

“快闪储存？第二代同步动态随机存取内存？”

夏培肃和倪光南对视一眼，均吃了一惊。

快闪储存，指的就是闪存。

在这个时代，这两项技术都尚未完全成熟。

1984年，东芝公司的舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器的概念。

与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性，其记录速度也非常快。

英特尔是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。

1988年，英特尔公司推出了一款256kbit闪存芯片。

它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。

后来，英特尔发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom（可擦除可编程只读存储器）和eeprom（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个sram接口。

eprom是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。

其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式mos电路，简称为famos。

它与mos电路相似，是在n型基片上生长出两个高浓度的p型区，通过欧姆接触分别引出源极s和漏极d。

在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在sio2绝缘层中，与四周无直接电气联接。

这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使mos管导通，即表示存入0。

若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，mos管不导通，即存入1。

eeprom基本存储单元电路的工作原理与eprom相似，它是在eprom基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。

可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压vg。

若vg为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。

若使vg为负电压，强使第一级

幸运的球球提醒您：本章未完，点下一页继续阅读。>>>

本文网址：https://www.xs639.com/kehuan/xuebadekehuanshijie/26096214.html
手机用户请浏览：https://m.xs639.com享受更优质的阅读体验。

第四百七十四章 存储芯片